資訊熱線：億光光耦6N137規(guī)格與應(yīng)用電路
6N137的內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理如下圖所示，信號(hào)從腳2和腳3輸入，發(fā)光二極管發(fā)光，經(jīng)片內(nèi)光通道傳到光敏二極管，反向偏置的光敏管光照后導(dǎo)通，經(jīng)電流-電壓轉(zhuǎn)換后送到與門的一個(gè)輸入端，與門的另一個(gè)輸入為使能端，當(dāng)使能端為高時(shí)與門輸出高電平，經(jīng)輸出三極管反向后光電隔離器輸出低電平。當(dāng)輸入信號(hào)電流小于觸發(fā)閾值或使能端為低時(shí)，輸出高電平，但這個(gè)邏輯高是集電極開路的，可針對(duì)接收電路加上拉電阻或電壓調(diào)整電路。
單通道：6N137,EL2601,EL2611
雙通道：EL2630,EL2631
高速10MBit/s的邏輯門光電
原理如上圖所示，若以腳2 為輸入，腳3 接地，則真值表如附表所列，這相當(dāng)于非門的傳輸，若希望在傳輸過程中不改變邏輯狀態(tài)，則從腳3 輸入，腳2 接高電平。
億光光耦6N137真值表 功能（正邏輯）
Input 輸入 Enable 使能 Output 輸出 H H L L H H H L H L L H H NC L L NC H
絕對(duì)最大額定值（Ta= 25 °C除非另有說明）
Symbol 符號(hào) Parameter 參數(shù) Value數(shù)值 Units 單位 TSTG Storage Temperature 貯藏溫度 -55 to +125 C TOPR Operating Temperature 操作溫度 -40 to +85 C TSOL Lead Solder Temperature 焊料溫度 260 for 10 sec C EMITTER發(fā)送端 IF DC/Average Forward直流/平均正向 單通道 50 mA Input Current輸入電流 雙通道(每通 道） 30 VE Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV 單通道 5. 5 V VR Reverse Input Voltage 反向輸入電壓 每個(gè)通道 5. 0 V PI Power Dissipation 功耗 單通道 100 mW 雙通道(每通 道） 45 DETECTOR接收端 VCC (1 minute max) Supply Voltage 電源電壓 7. 0 V IO Output Current 輸出電流 單通道 50 mA 雙通道(每通 道） 50 VO Output Voltage 輸出電壓 每個(gè)通道 7. 0 V PO Collector Output集電極輸出 單通道 85 mW Power Dissipation 功耗 雙通道(每通 道） 60
建議操作條件
|
Symbol 符號(hào) |
Parameter 參數(shù) |
最小 |
最大 |
Units 單位 |
|
IFL |
Input Current, Low Level 輸入電流，低電平 |
0 |
250 |
uA |
|
IFH |
Input Current, High Level 輸入電流，高電平 |
*6. 3 |
15 |
mA |
|
VCC |
Supply Voltage, Output 供電電壓，輸出 |
4. 5 |
5. 5 |
V |
|
VEL |
Enable Voltage, Low Level 使能電壓，低電平 |
0 |
0. 8 |
V |
|
VEH |
Enable Voltage, High Level 使能電壓，高電平 |
2. 0 |
VCC |
V |
|
TA |
工作溫度范圍 |
-40 |
+85 |
°C |
|
N |
Fan Out (TTL load)扇出期（TTL 負(fù)載） |
|
8 |
|
電學(xué)特性（Ta=0至70，除非另有規(guī)定）單獨(dú)的組件特征:
|
Symbol 符號(hào) |
Parameter 參數(shù) |
測(cè)試條件 |
最 小 |
典型 |
最大 |
單位 |
|
|
VF |
Input Forward Voltage 輸入正向電壓 |
IF = 10mA |
|
|
|
1. 8 |
V |
|
TA=25C |
|
1.4 |
1. 75 |
||||
|
BVR |
Input Reverse Breakdown Voltage 輸入反向擊穿電壓 |
IR = 10u A |
5. 0 |
|
|
V |
|
|
CIN |
Input Capacitance 輸入電容 |
VF = 0, f = 1MHz |
|
60 |
|
pF |
|
|
AVF / ATA |
Input Diode Temperature Coefficient輸入二極管溫度系數(shù) |
IF = 10mA |
|
-1.4 |
|
mV/C |
|
|
DETECTOR接收端 |
|||||||
|
ICCH |
High Level Supply Current 高電源電流 |
VCC = 5. 5V, IF = 0mA, VE = 0. 5V |
單通道 |
|
7 |
10 |
mA |
|
雙通道 |
|
10 |
15 |
||||
|
ICCL |
Low Level Supply Current 低電平電源電流 |
單通道 |
VCC=5. 5V, IF = 10mA |
|
9 |
13 |
mA |
|
雙通道 |
VE = 0. 5V |
|
14 |
21 |
|||
|
IEL |
Low Level Enable Current 低電平使能電流 |
VCC = 5. 5V, VE = 0. 5V |
|
-0. 8 |
-1. 6 |
mA |
|
|
IEH |
High Level Enable Current 高電平使能電流 |
VCC = 5. 5V, VE = 2. 0V |
|
-0. 6 |
-1. 6 |
mA |
|
|
VEH |
High Level Enable Voltage 高電平使能電壓 |
VCC = 5. 5V, IF = 10mA |
2. 0 |
|
|
V |
|
|
VEL |
Low Level Enable Voltage 低電平使能電壓 |
VCC = 5. 5V, IF = 10mA (3) |
|
|
0. 8 |
V |
|
開關(guān)特性（TA= -40°C to +85°C, VCC= 5V, IF= 7. 5mA 除非另有說明）：
|
Symbol 符號(hào) |
AC Characteristics 交流特性 |
測(cè)試條件 |
最小 |
典型 |
最 大 |
單位 |
|
|
TPHH |
Propagation Delay Time to Output HIGH Level傳遞延遲時(shí)間 到高電平輸出 |
RL=350Q，CL=15pF(4) (Fig. 12) |
TA=25C |
20 |
45 |
75 |
ns |
|
|
|
|
100 |
||||
|
TPHL |
Propagation Delay Time to Output LOW Level傳遞延遲時(shí)間 到低電平輸出 |
TA = 25C (5) |
25 |
45 |
75 |
ns |
|
|
RL = 350Q, CL = 15pF (Fig. 12) |
|
|
100 |
||||
|
|TPHL TPLH| |
Pulse Width Distortion脈寬失真 |
(RL = 350Q, CL = 15pF (Fig. 12) |
|
3 |
35 |
ns |
|
|
tr |
Output Rise Time (10-90%)輸出上升時(shí) 間（10-90 % ) |
RL = 350Q, CL = 15pF(6) (Fig. 12) |
|
50 |
|
ns |
|
|
tf |
Output Rise Time (90- 10%)輸出上升時(shí) 間( 90-10 % ) |
RL = 350Q, CL = 15pF(7) (Fig. 12) |
|
12 |
|
ns |
|
|
tELH |
Enable Propagation Delay Time to Output HIGH Level允許傳播 延遲時(shí)間到高電平輸 出 |
IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Q, CL = 15pF(8) (Fig. 13) |
|
20 |
|
ns |
|
|
tEHL |
Enable Propagation Delay Time to Output LOW Level允許傳播 延遲時(shí)間到低電平輸 出 |
IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Q, CL = 15pF(9) (Fig. 13) |
|
20 |
|
ns |
|
|
CMH |
Common Mode Transient Immunity (at Output HIGH Level)共模瞬態(tài)抑制 比(輸出高電平） |
TA=25C VCM=50V (Peak), IF=0mA, VOH (Min.) = 2. 0V, RL = 350 Q (10) (Fig. 14) |
6N137 EL2630 |
|
10, 000 |
|
V/us |
|
EL2601 EL2631 |
5000 |
10, 000 |
|
||||
|
VCM = 400V |
EL2611 |
10, 000 |
15, 000 |
|
V/us |
||
|
CML |
Common Mode Transient Immunity (at Output LOW Level)共模瞬態(tài)抑制 |
RL = 350Q, IF = 7.5mA, VOL (Max.) = 0. 8V, TA = 25C (11) (Fig. 14) |
6N137 EL2630 |
|
10, 000 |
|
|
|
EL2601 EL2631 |
5000 |
10, 000 |
|
||||
電氣特性（續(xù)）轉(zhuǎn)移特性(TA = -40 to +85°C除非另有說明)
|
Symbol 符號(hào) |
DC Characteristics 直流特性 |
測(cè)試條件 |
最小 |
典型 |
最大 |
Unit 單位 |
|
IOH |
HIGH Level Output Current 高輸出電流 |
VCC = 5. 5V, VO = 5. 5V, IF =250uA, VE = 2.0V (2) |
|
|
100 |
uA |
|
VOL |
LOW Level Output Current低電平輸出電流 |
VCC = 5. 5V, IF = 5mA, VE = 2. 0V, ICL = 13mA(2) |
|
.35 |
0. 6 |
V |
|
IFT |
Input Threshold Current 輸入閾值電流 |
VCC = 5. 5V, VO = 0. 6V, VE =2. 0V, IOL = 13mA |
|
3 |
5 |
mA |
隔離特性（Ta= -40°C至+85° C，除非另有說明.）：
|
Symbol 符號(hào) |
Characteristics 特性 |
測(cè)試條件 |
最小 |
典 型 |
最大 |
Unit 單位 |
|
II-O |
Input-Output Insulation Leakage Current 輸入輸出絕緣泄漏電流 |
相對(duì)濕度=45%, TA = 25C, t = 5s, VI-O = 3000 VDC(12) |
|
|
1. 0* |
uA |
|
VISO |
Withstand Insulation Test Voltage 經(jīng)受絕緣測(cè)試電壓） |
RH < 50%, TA = 25C, II-O ^ 2uA, t = 1 min. (12) |
2500 |
|
|
VRMS |
|
RI-O |
Resistance (Input to Output) 電阻輸入輸出 |
VI-O = 500V(12) |
|
1012 |
|
Q |
|
CI-O |
Capacitance (Input to Output) 電容（輸入輸 出） |
f = 1MHz(12) |
|
0. 6 |
|
pF |
光藕隔離器6N137典型應(yīng)用如圖1所示。輸入端有A、B兩種接法，分別得到反相或同相邏輯傳輸，其中RF為限流電阻。發(fā)光二極管正向電流0-250μA，光敏管不導(dǎo)通；發(fā)光二極管正向壓降1.2-1.7V（典型1.4V），正向電流6.3-15mA，光敏管導(dǎo)通。若以B方法連接，TTL電平輸入，Vcc為5V時(shí)，RF可選500_左右。如果不加限流電阻或阻值很小，6N137仍能工作，但發(fā)光二極管導(dǎo)通電流很大對(duì)Vcc1有較大沖擊，尤其是數(shù)字波形較陡時(shí)，上升、下降沿的頻譜很寬，會(huì)造成相當(dāng)大的尖峰脈沖噪聲，而通常印刷電路板的分布電感會(huì)使地線吸收不了這種噪聲，其峰-峰值可達(dá)100mV以上，足以使模擬電路產(chǎn)生自激。所以在可能的情況下，RF應(yīng)盡量取大。
輸出端供電Vcc2=4.5～5.5V。在Vcc2（腳8）和地（腳5）之間必須接一個(gè)0.1μF 高頻特性良好的電容，如瓷介質(zhì)或鉭電容，而且應(yīng)盡量放在腳5和腳8附近（不要超過1cm）。這個(gè)電容可以吸收電源線上的紋波，又可以減小光電隔離器接受端開關(guān)工作時(shí)對(duì)電源的沖擊。腳7是使能端，當(dāng)它在0-0.8V 時(shí)強(qiáng)制輸出為高（開路）；當(dāng)它在2.0V-Vcc2 時(shí)允許接收端工作。腳6是集電極開路輸出端，通常加上拉電阻RL。雖然輸出低電平時(shí)可吸收電路達(dá)13mA，但仍應(yīng)當(dāng)根據(jù)后級(jí)輸入電路的需要選擇阻值。因?yàn)殡娮杼?huì)使6N137 耗電增大，加大對(duì)電源的沖擊，使旁路電容無法吸收，而干擾整個(gè)模塊的電源，甚至把尖峰噪聲帶到地線上。一般可選4.7k_，若后級(jí)是TTL輸入電路，且只有1到2個(gè)負(fù)載，則用47k_或15k_也行。CL是輸出負(fù)載的等效電容，它和RL影響器件的響應(yīng)時(shí)間，當(dāng)RL=350_，CL=15pF時(shí)響應(yīng)延遲為25-75ns。
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